型号: R5011ANX
功能描述: MOSFET Silicon N-channel MOSFET, 10V Drive, N-Channel, Contains G-S protection diode, Low on-resistance, Fast switching, Wide SOA
制造商: ROHM Semiconductor
制造商: ROHM Semiconductor
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220FP-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 500 V
Id-连续漏极电流: 11 A
Rds On-漏源导通电阻: 380 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压: 30 V
Qg-栅极电荷: 30 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 59 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
封装: Cut Tape
封装: Reel
系列: R5011ANX
晶体管类型: 1 N-Channel
商标: ROHM Semiconductor
下降时间: 30 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 28 ns
工厂包装数量: 500
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 75 ns
典型接通延迟时间: 26 ns
零件号别名: R5011ANX
单位重量: 2 g
联系人:Alien
联系人:李先生
电话:17080955875
联系人:陈敏
电话:17302670049
联系人:肖瑶,树平
电话:13926529829
联系人:陈泽辉
电话:13360071553
联系人:朱小姐
电话:13725570869
联系人:郑小姐
电话:18188616613
联系人:柯先生,二十四小时报价
电话:15813805081
联系人:唐工
电话:15980703110
联系人:林小姐
电话:13670205476