型号: R5021ANX
功能描述: MOSFET Silicon N-channel MOSFET, 10V Drive, N-Channel, Contains G-S protection diode, Low on-resistance, Fast switching, Wide SOA
制造商: ROHM Semiconductor
制造商: ROHM Semiconductor
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220FP-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 500 V
Id-连续漏极电流: 21 A
Rds On-漏源导通电阻: 160 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压: 30 V
Qg-栅极电荷: 64 nC
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 50 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
封装: Cut Tape
封装: Reel
高度: 15.4 mm
长度: 10.3 mm
系列: R5021ANX
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 4.8 mm
商标: ROHM Semiconductor
正向跨导 - 最小值: 7 S
下降时间: 70 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 70 ns
工厂包装数量: 500
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 200 ns
典型接通延迟时间: 47 ns
零件号别名: R5021ANX
单位重量: 2.565 g
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