型号:  R6004JND3TL1

功能描述:  MOSFET 600V Vdss; 4A Id 60W Pd; TO-252

制造商:  ROHM Semiconductor

制造商:  ROHM Semiconductor

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  TO-252-3

通道数量:  1 Channel

晶体管极性:  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  600 V

Id-连续漏极电流:  4 A

Rds On-漏源导通电阻:  1.43 Ohms

Vgs th-栅源极阈值电压:  5 V

Vgs - 栅极-源极电压:  30 V

Qg-栅极电荷:  10.5 nC

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  60 W

配置:  Single

通道模式:  Enhancement

封装:  Cut Tape

封装:  MouseReel

封装:  Reel

晶体管类型:  1 N-Channel

商标:  ROHM Semiconductor

下降时间:  33 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  11 ns

工厂包装数量:  2500

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  24 ns

典型接通延迟时间:  13 ns