型号: R6006ANX
功能描述: MOSFET 10V DRIVE NCH MOSFET
制造商: ROHM Semiconductor
制造商: ROHM Semiconductor
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220FP-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 600 V
Id-连续漏极电流: 6 A
Rds On-漏源导通电阻: 1.2 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压: 30 V
Qg-栅极电荷: 15 nC
Pd-功率耗散: 40 W
配置: Single
封装: Bulk
晶体管类型: 1 N-Channel
商标: ROHM Semiconductor
正向跨导 - 最小值: 1.7 S
下降时间: 35 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 18 ns
工厂包装数量: 500
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 50 ns
典型接通延迟时间: 22 ns
零件号别名: R6006ANX
单位重量: 6 g
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