型号: R6012JNXC7G
功能描述: NCH 600V 12A POWER MOSFET. R601
制造商: Rohm Semiconductor
包装: 管件
系列: -
零件状态: 有源
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 600V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 12A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 15V
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）: 390 毫欧 @ 6A，15V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 7V @ 2.5mA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）: 28nC @ 15V
Vgs（最大值）: ±30V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）: 900pF @ 100V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 60W（Tc）
工作温度: 150°C（TJ）
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-220FM
封装/外壳: TO-220-2 整包
联系人：连
电话：18922805453
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：樊勉
电话：17621743344
Q Q:
联系人：李先生
电话：18822854608
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13360063783
Q Q:
联系人：陈泽辉
电话：13360071553
Q Q:
联系人：罗先生
电话：19854773352
Q Q:
联系人：李先生
电话：13602549709
Q Q:
联系人：李锦雄
电话：13902985120
Q Q:
联系人：余婷婷
电话：18181446423
Q Q:
