型号:  R6018ANJTL

功能描述:  MOSFET NCH MOSFET T/R 10V DRIVE

制造商:  ROHM Semiconductor

制造商:  ROHM Semiconductor

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  TO-263-3

通道数量:  1 Channel

晶体管极性:  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  600 V

Id-连续漏极电流:  18 A

Rds On-漏源导通电阻:  210 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:  2.5 V

Vgs - 栅极-源极电压:  30 V

Qg-栅极电荷:  55 nC

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  100 W

配置:  Single

通道模式:  Enhancement

封装:  Cut Tape

封装:  MouseReel

封装:  Reel

晶体管类型:  1 N-Channel

商标:  ROHM Semiconductor

正向跨导 - 最小值:  6.5 S

下降时间:  65 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  85 ns

工厂包装数量:  1000

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  155 ns

典型接通延迟时间:  37 ns

零件号别名:  R6018ANJ

单位重量:  2.200 g