型号: R6025JNZ4C13
功能描述: R6025JNZ4 IS A POWER MOSFET WITH
制造商: Rohm Semiconductor
包装: 管件
系列: -
零件状态: 有源
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 600V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 25A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 15V
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）: 182 毫欧 @ 12.5A，15V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 7V @ 4.5mA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）: 57nC @ 15V
Vgs（最大值）: ±30V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）: 1900pF @ 100V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 306W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-247G
封装/外壳: TO-247-3
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