型号: R6035ENZM12C8
功能描述: MOSFET N-CH 650V 35A TO PKG
制造商: Rohm Semiconductor
包装: 管件
系列: -
零件状态: 最後搶購
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 600V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 35A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）: 102 毫欧 @ 18.1A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 4V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）: 110nC @ 10V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）: 2.72nF @ 25V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 120W（Tc）
工作温度: 150°C（TJ）
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-3
封装/外壳: TO-3P-3 整包
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