型号: R6046FNZC8
功能描述: MOSFET SILICON N-CHANNEL MOSFET; 600V
制造商: ROHM Semiconductor
制造商: ROHM Semiconductor
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 600 V
Id-连续漏极电流: 46 A
Rds On-漏源导通电阻: 93 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 30 V
Qg-栅极电荷: 150 nC
Pd-功率耗散: 120 W
配置: Single
封装: Bulk
晶体管类型: 1 N-Channel
商标: ROHM Semiconductor
下降时间: 80 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 150 ns
工厂包装数量: 360
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 230 ns
典型接通延迟时间: 77 ns
零件号别名: R6046FNZ
单位重量: 7 g
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