型号: R8008ANX
功能描述: MOSFET 10V Drive Nch MOSFET
制造商: ROHM Semiconductor
制造商: ROHM Semiconductor
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220FP-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 800 V
Id-连续漏极电流: 8 A
Rds On-漏源导通电阻: 1.03 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压: 30 V
Qg-栅极电荷: 39 nC
Pd-功率耗散: 50 W
配置: Single
封装: Bulk
系列: R8008ANX
晶体管类型: 1 N-Channel
商标: ROHM Semiconductor
下降时间: 30 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 50 ns
工厂包装数量: 500
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 85 ns
典型接通延迟时间: 32 ns
零件号别名: R8008ANX
单位重量: 6 g
联系人:肖瑶,树平
电话:13926529829
联系人:郑小姐
电话:18188616613
联系人:杨先生
电话:13352985419
联系人:陈晓玲
电话:18126117392
联系人:李先生
电话:18822854608
联系人:陈泽辉
电话:13360071553
联系人:木易
电话:13352985419
联系人:李
Q Q:
联系人:欧阳
电话:13418992245
联系人:柯小姐
Q Q: