型号: RCD080N25TL
功能描述:
制造商: ROHM Semiconductor
FET类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
电流-连续漏极（Id）（25°C时）： 8A（Ta）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）： 10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）： 5V @ 1mA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 25nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）： 1440pF @ 25V
Vgs（最大值）： ±30V
功率耗散（最大值）： 850mW（Ta），20W（Tc）
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）： 300 毫欧 @ 4A，10V
工作温度： 150°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
封装形式Package： CPT
极性Polarity： N-CH
漏源极击穿电压VDSS： 250V
连续漏极电流ID： 8A
无铅情况/RoHs： 否
联系人：陈敏
电话：17302670049
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：17318082080
Q Q:
联系人：雷小姐，微信与手机号同号QQ无回复请加微信或打电话
电话：13480875861
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：连
电话：18922805453
Q Q:
联系人：杨晓芳
电话：13430590551
Q Q:
联系人：李先生
电话：18822854608
Q Q:
联系人：吴小姐，李先生
电话："13715248127" "13728936238"
Q Q:
联系人：汪轩
电话：18379948831
Q Q:
联系人：张小姐
电话：13266825878
Q Q:
