型号: RD3S075CNTL1
功能描述: MOSFET Nch 190V 7.5A TO-252 (DPAK)
制造商: ROHM Semiconductor
制造商: ROHM Semiconductor
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-252-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 190 V
Id-连续漏极电流: 7.5 A
Rds On-漏源导通电阻: 336 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 500 mV
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
Qg-栅极电荷: 30 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 52 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
商标: ROHM Semiconductor
正向跨导 - 最小值: 4 S
下降时间: 45 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 14 ns
工厂包装数量: 2500
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 80 ns
典型接通延迟时间: 12 ns
联系人：杨先生
电话：13352985419
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13360063783
Q Q:
联系人：木易
电话：13352985419
Q Q:
联系人：陈玲玲
电话：18126117392
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：陈泽辉
电话：13360071553
Q Q:
联系人：李先生
电话：18822854608
Q Q:
联系人：田德光
电话：181-26040415
Q Q:
联系人：柯小姐
电话：13342753456
Q Q:
联系人：吕小姐,陈先生
电话：13760444679
Q Q:
