型号: RDN100N20
功能描述:
制造商: ROHM Semiconductor
FET 类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）： 200V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 10A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 4V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 30nC @ 10V
Vgs（最大值）： ±30V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）： 543pF @ 10V
功率耗散（最大值）： 35W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 360 毫欧 @ 5A，10V
工作温度： 150°C（TJ）
安装类型： 通孔
供应商器件封装： TO-220FN
封装/外壳： TO-220-3 整包
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：陈玲玲
电话：18126117392
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：17318082080
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：陈泽辉
电话：13360071553
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13360063783
Q Q:
联系人：雷小姐，微信与手机号同号QQ无回复请加微信或打电话
电话：13480875861
Q Q:
联系人：曾先生
Q Q:
联系人：陈R
电话：13691738556
Q Q:
联系人：郑
电话：18090100563
Q Q:
联系人：丁先生
Q Q:
