型号: RDR005N25TL
功能描述:
制造商: ROHM Semiconductor
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 3.5nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）： 70pF @ 25V
Vgs（最大值）： ±20V
功率耗散（最大值）： 540mW（Ta）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 8.8 欧姆 @ 250mA，10V
工作温度： 150°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： SC-96
FET 类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
漏源极电压（Vdss）： 250V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 500mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 3V @ 1mA
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
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