型号: REN2SJ539E
功能描述: Trans MOSFET P-CH 60V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Box
制造商: renesas electronics
包装: 3TO-220AB
渠道类型: P
通道模式: Enhancement
最大漏源电压: 60 V
最大连续漏极电流: 10 A
RDS -于: 210@10V mOhm
最大门源电压: ±20 V
典型导通延迟时间: 10 ns
典型上升时间: 45 ns
典型关闭延迟时间: 65 ns
典型下降时间: 50 ns
工作温度: -55 to 150 °C
安装: Through Hole
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