型号: REN2SJ539E
功能描述: Trans MOSFET P-CH 60V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Box
制造商: renesas electronics
包装： 3TO-220AB
渠道类型： P
通道模式： Enhancement
最大漏源电压： 60 V
最大连续漏极电流： 10 A
RDS -于： 210@10V mOhm
最大门源电压： ±20 V
典型导通延迟时间： 10 ns
典型上升时间： 45 ns
典型关闭延迟时间： 65 ns
典型下降时间： 50 ns
工作温度： -55 to 150 °C
安装： Through Hole
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