型号: RF1S4N100SM
功能描述: 4.3A, 1000V, 3.500 Ohm, High Voltage, N-Channel Power MOSFETs
制造商: Fairchild Semiconductor
晶体管极性: N-Channel
汲极/源极击穿电压: 1000 V
闸/源击穿电压: +/- 20 V
漏极连续电流: 4.3 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）: 3.5 Ohms
配置: Single
最大工作温度: + 150 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-263AB
下降时间: 50 ns
最小工作温度: - 55 C
功率耗散: 150 W
上升时间: 50 ns
典型关闭延迟时间: 170 ns
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