型号: RFD12N06RLESM
功能描述: MOSFET
制造商: Fairchild Semiconductor
制造商: Fairchild Semiconductor
产品种类: MOSFET
Id-连续漏极电流: 18 A
Vds-漏源极击穿电压: 60 V
Rds On-漏源导通电阻: 63 mOhms
晶体管极性: N-Channel
Vgs-栅源极击穿电压 : 16 V
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 49 W
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: DPAK-3
商标: Fairchild Semiconductor
通道模式: Enhancement
配置: Single
下降时间: 37 ns, 50 ns
最小工作温度: - 55 C
上升时间: 89 ns, 34 ns
系列: RFD12N06
典型关闭延迟时间: 22 ns, 41 ns
典型接通延迟时间: 13 ns, 5.3 ns
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