型号: RFD4N06LSM9A
功能描述:
制造商: ON Semiconductor
FET 类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）： 60V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 4A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 8nC @ 10V
Vgs（最大值）： ±10V
功率耗散（最大值）： 30W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 600 毫欧 @ 1A，5V
工作温度： -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
供应商器件封装： TO-252AA
封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：陈玲玲
电话：18126117392
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13352985419
Q Q:
联系人：木易
电话：13352985419
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13360063783
Q Q:
联系人：李先生
电话：18822854608
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：17318082080
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：陈春宇
电话：13929885506
Q Q:
联系人：连先生
电话：15920005840
Q Q:
联系人：JACK
Q Q:
