型号: RFD7N10LE
功能描述: MOSFET
制造商: Fairchild Semiconductor
制造商: Fairchild Semiconductor
产品种类: MOSFET
Id-连续漏极电流: 7 A
Vds-漏源极击穿电压: 100 V
Rds On-漏源导通电阻: 300 mOhms
晶体管极性: N-Channel
Vgs-栅源极击穿电压 : 10 V
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 47000 mW
封装 / 箱体: TO-251AA-3
商标: Fairchild Semiconductor
通道模式: Enhancement
配置: Single
下降时间: 18 ns
最小工作温度: - 55 C
上升时间: 65 ns
典型关闭延迟时间: 23 ns
典型接通延迟时间: 10 ns
联系人：杨先生
电话：13360063783
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：17318082080
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：陈敏
电话：17302670049
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：廖S
电话：18570339653
Q Q:
联系人：彭小姐
电话：135-7521-2775-------Q-微-恭-候-----有-问-秒-回
Q Q:
联系人：黄秀丽
电话：13603018651
Q Q:
联系人：谢梓云
电话：19924902278
Q Q:
联系人：刘清影
电话：18924630310
Q Q:
