型号: RFG40N10
功能描述:
制造商: ON Semiconductor
FET 类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）： 100V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 40A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 300nC @ 20V
Vgs（最大值）： ±20V
功率耗散（最大值）： 160W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 40 毫欧 @ 40A，10V
工作温度： -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型： 通孔
供应商器件封装： TO-247
封装/外壳： TO-247-3
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：杨先生
电话：13360063783
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：蔡小姐
电话：18129819897
Q Q:
联系人：蔡小姐
电话：18188616609
Q Q:
联系人：陈玲玲
电话：18126117392
Q Q:
联系人：罗先生
电话：19854773352
Q Q:
联系人：林炜东，林俊源
Q Q:
联系人：陈生
电话：13510133095
Q Q:
联系人：王R
电话：13828777600
Q Q:
联系人：陈安定
电话：18101718660
Q Q:
