型号: RFM12U7X(TE12L,Q)
功能描述: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Radio-Freq PwrMOSFET N-Ch 4A 20W 20V
制造商: Toshiba
制造商: Toshiba
产品种类: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS: 是
晶体管极性: N-Channel
技术: Si
Id-连续漏极电流: 4 A
Vds-漏源极击穿电压: 20 V
增益: 10.8 dB
输出功率: 12 W
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: PW-X-4
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
配置: Single
工作频率: 520 MHz
系列: RFM12
类型: RF Power MOSFET
商标: Toshiba
Pd-功率耗散: 20 W
产品类型: RF MOSFET Transistors
工厂包装数量: 1000
子类别: MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压: 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1 V
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