型号: RFP15P05
功能描述:
制造商: ON Semiconductor
FET 类型： P 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）： 50V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 15A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 150nC @ 20V
Vgs（最大值）： ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）： 1150pF @ 25V
功率耗散（最大值）： 80W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 150 毫欧 @ 15A，10V
工作温度： -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型： 通孔
供应商器件封装： TO-220AB
封装/外壳： TO-220-3
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：董先生
电话：18098996457
Q Q:
联系人：陈敏
电话：17302670049
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：17318082080
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13360063783
Q Q:
联系人：陈玲玲
电话：18126117392
Q Q:
联系人：杨晓芳
电话：13430590551
Q Q:
联系人：陈泽辉
电话：13360071553
Q Q:
联系人：张泽冬
电话：13570887584
Q Q:
联系人：杨小姐
电话：15323767445
Q Q:
联系人：沈容容
电话：18003262360
Q Q:
