型号: RFP30P05
功能描述:
制造商: ON Semiconductor
FET 类型: P 沟道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 50V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 30A（Tc）
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: 170nC @ 20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）: 3200pF @ 25V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）: 65 毫欧 @ 30A，10V
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-220AB
封装/外壳: TO-220-3
无铅情况/RoHs: 无铅/符合RoHs
联系人：董先生
电话：18098996457
Q Q:
联系人：董先生
电话：18098996457
Q Q:
联系人：陈玲玲
电话：18126117392
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：17318082080
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：陈泽辉
电话：13360071553
Q Q:
联系人：王小姐，刘先生
电话：19147724283
Q Q:
联系人：周
电话：13539687799
Q Q:
联系人：蔡洁玲
电话：15999659458
Q Q:
联系人：曾先生
电话：13539053038
Q Q:
