型号: RFP4N100
功能描述:
制造商: ON Semiconductor
FET 类型: N 沟道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 1000V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 4.3A（Tc）
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: 120nC @ 20V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）: 3.5 欧姆 @ 2.5A，10V
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-220AB
封装/外壳: TO-220-3
无铅情况/RoHs: 无铅/符合RoHs
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