型号: RFW2N06RLE
功能描述: MOSFET
制造商: Fairchild Semiconductor
制造商: Fairchild Semiconductor
产品种类: MOSFET
Id-连续漏极电流: 2 A
Vds-漏源极击穿电压: 60 V
Rds On-漏源导通电阻: 160 mOhms
晶体管极性: N-Channel
Vgs-栅源极击穿电压 : - 5 V, + 10 V
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 1.09 W
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: HVMDIP-4
商标: Fairchild Semiconductor
通道模式: Enhancement
配置: Single
下降时间: 42 ns
最小工作温度: - 55 C
上升时间: 42 ns
系列: RFW2N06
典型关闭延迟时间: 95 ns
典型接通延迟时间: 13 ns
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