型号: RGT00TS65DGC11
功能描述: IGBT 晶体管 650V 50A Trench IGBT Field Stop TO-247N
制造商: ROHM Semiconductor
制造商: ROHM Semiconductor
产品种类: IGBT 晶体管
RoHS: 是
技术: Si
封装 / 箱体: TO-247N-3
安装风格: Through Hole
配置: Single
集电极—发射极最大电压 VCEO: 650 V
集电极—射极饱和电压: 1.65 V
栅极/发射极最大电压: 30 V
在25 C的连续集电极电流: 85 A
Pd-功率耗散: 277 W
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 175 C
封装: Tube
商标: ROHM Semiconductor
栅极—射极漏泄电流: 200 nA
产品类型: IGBT Transistors
工厂包装数量: 450
子类别: IGBTs
零件号别名: RGT00TS65D
单位重量: 6 g
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