型号: RGT8NS65DGTL
功能描述: IGBT 晶体管 650V 4A IGBT Stop Trench
制造商: ROHM Semiconductor
制造商: ROHM Semiconductor
产品种类: IGBT 晶体管
RoHS: 是
技术: Si
封装 / 箱体: TO-263-3
安装风格: SMD/SMT
集电极—发射极最大电压 VCEO: 650 V
集电极—射极饱和电压: 1.65 V
栅极/发射极最大电压: 30 V
在25 C的连续集电极电流: 8 A
Pd-功率耗散: 65 W
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 175 C
系列: RGT8NS65D
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
集电极最大连续电流 Ic: 8 A
工作温度范围: - 40 C to + 175 C
商标: ROHM Semiconductor
集电极连续电流: 4 A
栅极—射极漏泄电流: +/- 200 nA
产品类型: IGBT Transistors
工厂包装数量: 1000
子类别: IGBTs
零件号别名: RGT8NS65D(LPDS)
单位重量: 2 g
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