型号: RGTH60TS65DGC11
功能描述: IGBT 晶体管 650V 30A IGBT Stop Trench
制造商: ROHM Semiconductor
制造商: ROHM Semiconductor
产品种类: IGBT 晶体管
RoHS: 是
技术: Si
安装风格: Through Hole
集电极—发射极最大电压 VCEO: 650 V
集电极—射极饱和电压: 1.6 V
栅极/发射极最大电压: 30 V
在25 C的连续集电极电流: 58 A
Pd-功率耗散: 194 W
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 175 C
系列: RGTH60TS65
封装: Tube
集电极最大连续电流 Ic: 58 A
工作温度范围: - 40 C to + 175 C
商标: ROHM Semiconductor
集电极连续电流: 30 A
栅极—射极漏泄电流: +/- 200 nA
产品类型: IGBT Transistors
工厂包装数量: 450
子类别: IGBTs
零件号别名: RGTH60TS65D
单位重量: 2 g
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