型号: RJH60A83RDPD-A0#J2
功能描述:
制造商: Renesas Electronics
IGBT 类型： 沟道
电压 - 集射极击穿（最大值）： 600V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）： 20A
不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）： 2.6V @ 15V，10A
功率 - 最大值： 51W
开关能量： 230µJ（开），160µJ（关）
输入类型： 标准
栅极电荷： 19.7nC
25°C 时 Td（开/关）值： 31ns/54ns
测试条件： 300V，10A，5 欧姆，15V
反向恢复时间（trr）： 130ns
工作温度： 150°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
供应商器件封装： TO-252
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
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