型号: RJH65T14DPQ-A0#T0
功能描述:
制造商: Renesas Electronics
IGBT 类型： 沟道
电压 - 集射极击穿（最大值）： 650V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）： 100A
不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）： 1.75V @ 15V，50A
功率 - 最大值： 250W
开关能量： 1.3mJ（开），1.2mJ（关）
输入类型： 标准
栅极电荷： 80nC
25°C 时 Td（开/关）值： 38ns/125ns
测试条件： 400V，50A，10 欧姆，15V
反向恢复时间（trr）： 250ns
工作温度： 175°C（TJ）
安装类型： 通孔
封装/外壳： TO-247-3
供应商器件封装： TO-247A
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：Alien
Q Q:
联系人：林炜东，林俊源
Q Q:
联系人：董先生
电话：18098996457
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13352985419
Q Q:
联系人：木易
电话：13352985419
Q Q:
联系人：雷小姐，微信与手机号同号QQ无回复请加微信或打电话
电话：13480875861
Q Q:
联系人：颜小姐
电话：13380394549
Q Q:
联系人：蔡
电话：13410511380
Q Q:
联系人：陈生
Q Q:
联系人：易
电话：13480795355
Q Q:
