型号: RJK03E3DNS-00#J5
功能描述: MOSFET N-CH 30V 14A HWSON
制造商: Renesas Electronics America
PCN Obsolescence： Multiple Devices 15/Aug/2013
标准包装： 5,000
类别： 分立式导体产品
家庭： FET - 单
系列： -
包装： 带卷 (TR)
FET 类型： MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能： 逻辑电平栅极，4.5V 驱动
漏源极电压 (Vdss)： 30V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）： 14A
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）： 11.6 毫欧 @ 7A， 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）： -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)： 5.7nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)： 1050pF @ 10V
功率 - 最大值： 10W
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： 8-WDFN 裸露焊盘
供应商器件封装： 8-HWSON（3.3x3.3）
ROHS： 无铅
联系人：Alien
Q Q:
联系人：林炜东，林俊源
Q Q:
联系人：樊勉
电话：17621743344
Q Q:
联系人：陈敏
电话：17302670049
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13352985419
Q Q:
联系人：木易
电话：13352985419
Q Q:
联系人：颜小姐
电话：13380394549
Q Q:
联系人：丁晓涛
Q Q:
联系人：陈锦伟
电话：18316710010
Q Q:
联系人：朱小姐
Q Q:
