型号: RJK03M8DNS-00#J5
功能描述: MOSFET N-CH 30V 30A HWSON
制造商: Renesas Electronics America
PCN Obsolescence： Multiple Devices 16/Aug/2013
标准包装： 5,000
类别： 分立式导体产品
家庭： FET - 单
系列： -
包装： 带卷 (TR)
FET 类型： MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能： 逻辑电平栅极，4.5V 驱动
漏源极电压 (Vdss)： 30V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）： 30A
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）： 5.2 毫欧 @ 15A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）： -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)： 14.5nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)： 2590pF @ 10V
功率 - 最大值： 20W
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： 8-WFDFN 裸露焊盘
供应商器件封装： 8-HWSON（3.3x3.3）
ROHS： 无铅
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