型号: RJK0451DPB-00#J5
功能描述: MOSFET N-CH 40V 35A LFPAK
制造商: Renesas Electronics America
PCN Obsolescence: Multiple Devices 15/Aug/2013
PCN Assembly/Origin: Wafer Fabrication Site Change 02/Oct/2013
标准包装: 1
类别: 分立式导体产品
家庭: FET - 单
系列: -
包装: 剪切带 (CT)
FET 类型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能: 逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss): 40V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时): 35A (Ta)
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值): 7 毫欧 @ 17.5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg): 14nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss): 2010pF @ 10V
功率 - 最大值: 45W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: SC-100,SOT-669
供应商器件封装: LFPAK
其它名称: RJK0451DPB-00#J5CTRJK0451DPB00J5
ROHS: 无铅
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