型号:  RJK0654DPB-00#J5

功能描述:  MOSFET N-CH 60V LFPAK

制造商:  Renesas Electronics America

PCN Obsolescence：  Multiple Devices 15/Aug/2013

PCN Assembly/Origin：  Wafer Fabrication Site Change 02/Oct/2013

标准包装：  1

类别：  分立式导体产品

家庭：  FET - 单

系列：  -

包装：  剪切带 (CT)

FET 类型：  MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：  逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：  60V

电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：  30A （Ta）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：  8.3 毫欧 @ 15A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：  -

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：  27nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：  2000pF @ 10V

功率 - 最大值：  55W

安装类型：  表面贴装

封装/外壳：  SC-100，SOT-669

供应商器件封装：  LFPAK

其它名称：  RJK0654DPB-00#J5CTRJK0654DPB00J5

ROHS：   无铅