型号: RJK0703DPP-E0#T2
功能描述: POWER MOSFET
制造商: Renesas Electronics
FET特点： Logic Level Gate
封装： Tube
安装类型： Through Hole
电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C： 70A
封装/外壳： TO-220-3 Full Pack
供应商设备封装： TO-220FP
开态Rds（最大）@ Id ，V GS： 6.7 mOhm @ 35A, 10V
FET型： MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大： 25W
标准包装： 1
漏极至源极电压（Vdss）： 75V
输入电容（Ciss ） @ VDS： 4150pF @ 10V
闸电荷（Qg ） @ VGS： 56nC @ 10V
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