型号: RJK1002DPN-A0#T2
功能描述: MOSFET N-CH TO220
制造商: Renesas Electronics America
包装: 管件
系列: -
零件状态: 有源
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 100V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 70A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）: 7.6 毫欧 @ 35A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 4V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）: 94nC @ 10V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）: 6450pF @ 10V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 150W（Ta）
工作温度: 150°C
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-220ABA
封装/外壳: TO-220-3
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