型号: RJK1555DPA-WS#J0
功能描述: MOSFET N-CH W-PAK
制造商: Renesas Electronics America
包装: 标准卷带
系列: -
零件状态: 停產
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 150V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): 25A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同Id,Vgs 时的Rds On(最大值): 48 毫欧 @ 12.5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 4.5V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)(最大值): 38nC @ 10V
Vgs(最大值): ±30V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值): 2400pF @ 25V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 30W(Tc)
工作温度: 150°C
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: 8-WPAK
封装/外壳: 8-PowerWDFN
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