型号: RJK2076DPA-00#J5A
功能描述:
制造商: Renesas Electronics
FET 类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）： 200V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 20A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 19nC @ 10V
Vgs（最大值）： ±30V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）： 1200pF @ 25V
功率耗散（最大值）： 65W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 85 毫欧 @ 10A，10V
工作温度： 150°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
供应商器件封装： WPAK（3F）（5x6）
封装/外壳： 8-PowerVDFN
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：Alien
Q Q:
联系人：林炜东，林俊源
Q Q:
联系人：樊勉
电话：17621743344
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13360063783
Q Q:
联系人：陈玲玲
电话：18126117392
Q Q:
联系人：陈泽辉
电话：13360071553
Q Q:
联系人：杨晓芳
电话：13430590551
Q Q:
联系人：王华欣
电话：13510497906
Q Q:
联系人：蔡小姐
电话：18126134271
Q Q:
联系人：肖小姐
电话：18219172356
Q Q:
