型号: RJK6002DPD-00#J2
功能描述: MOSFET N-CH 600V 2A MP3A
制造商: Renesas Electronics America
标准包装： 3,000
类别： 分立式导体产品
家庭： FET - 单
系列： -
包装： 带卷 (TR)
FET 类型： MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能： 标准
漏源极电压 (Vdss)： 600V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）： 2A
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）： 6.8 欧姆 @ 1A， 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）： -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)： 6.2nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)： 165pF @ 25V
功率 - 最大值： 30W
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商器件封装： MP-3A
ROHS： 无铅
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