型号: RJK6018DPM-00#T1
功能描述:
制造商: Renesas Electronics
FET 类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）： 600V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 30A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 92nC @ 10V
Vgs（最大值）： ±30V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）： 4100pF @ 25V
功率耗散（最大值）： 60W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 235 毫欧 @ 15A，10V
工作温度： 150°C（TJ）
安装类型： 通孔
供应商器件封装： TO-3PFM
封装/外壳： TO-3PFM，SC-93-3
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：陈敏
电话：17302670049
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：17318082080
Q Q:
联系人：李先生
电话：18822854608
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13360063783
Q Q:
联系人：陈玲玲
电话：18126117392
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：林秋云
电话：18501616159
Q Q:
联系人：王工
电话：0534-6819365
Q Q:
联系人：魏女士，黄生
电话：15019239738
Q Q:
