型号: RJK6032DPH-E0#T2
功能描述: MOSFET N-CH 600V 3A TO251
制造商: Renesas Electronics America
标准包装： 3,000
类别： 分立式导体产品
家庭： FET - 单
系列： -
包装： 管件
FET 类型： MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能： 标准
漏源极电压 (Vdss)： 600V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）： 3A
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）： 4.3 欧姆 @ 1.5A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）： -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)： 9nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)： 285pF @ 25V
功率 - 最大值： 40.3W
安装类型： 通孔
封装/外壳： TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA
供应商器件封装： TO-251
ROHS： 无铅
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：陈敏
电话：17302670049
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：17318082080
Q Q:
联系人：李先生
电话：18822854608
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13360063783
Q Q:
联系人：陈玲玲
电话：18126117392
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：沈彩媛
电话：14774981825
Q Q:
联系人：洪晓豪
电话：13556876562
Q Q:
联系人：刘力
电话：021-54289968
Q Q:
