型号:  RJK60S5DPN-E0#T2

功能描述:   MOSFET N-CH 600V 20A TO-220AB

制造商:  Renesas Electronics America

标准包装：  100

FET 型 ：  MOSFET N-Channel, Metal Oxide

FET特点：  Super Junction

漏极至源极电压（VDSS）：  600V

电流-连续漏极（编号）@ 25°C：  20A

Rds（最大）@ ID，VGS：  178 mOhm @ 10A, 10V

VGS（TH）（最大）@ Id：  -

栅极电荷（Qg）@ VGS：  27nC @ 10V

输入电容（Ciss）@ Vds的：  1600pF @ 25V

功率 - 最大：  166.6W

安装类型 ：  Through Hole

包/盒 ：  TO-220-3

供应商器件封装：  TO-220AB

包装材料 ：  Tube

动态目录：  Silicon Carbide (SiC) Super Junction FETs###/catalog/en/partgroup/silicon-carbide-sic-super-junction-fets/35565?mpart=RJK60S5DPN-E0%23T2&vendor=559&WT.z_ref_page_type=Part%20Search&WT.z_ref_page_sub_type=Part%20Detail%20Page&WT.z_ref_page_id=0

FET特点：  Super Junction

封装：  Tube

安装类型：  Through Hole

电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C：  20A (Tc)

封装/外壳：  TO-220-3

供应商设备封装：  TO-220AB

其他名称：  RJK60S5DPNE0T2

开态Rds（最大）@ Id ，V GS：  178 mOhm @ 10A, 10V

FET型：  MOSFET N-Channel, Metal Oxide

功率 - 最大：  166.6W

标准包装：  100

漏极至源极电压（Vdss）：  600V

输入电容（Ciss ） @ VDS：  1600pF @ 25V

闸电荷（Qg ） @ VGS：  27nC @ 10V