型号: RJM0603JSC-00#13
功能描述: MOSFET 3N/3P-CH 60V 20A HSOP
制造商: Renesas Electronics America
包装: -
系列: 汽车级，AEC-Q101
零件状态: 停產
FET 类型: 3 个 N 沟道和 3 个 P 沟道（3 相桥式）
FET 功能: 逻辑电平栅极，4.5V 驱动
漏源电压（Vdss）: 60V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 20A
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）: 20 毫欧 @ 10A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）: 43nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）: 2600pF @ 10V
功率 - 最大值: 54W
工作温度: 175°C
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 20-SOIC（0.433"，11.00mm 宽）裸露焊盘
供应商器件封装: 20-HSOP
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