型号: RJP020N06
功能描述:
制造商:
典型关断延迟时间: 40 ns
典型接通延迟时间: 8 ns
典型栅极电荷@Vgs: 5 nC V @ 4
典型输入电容值@Vds: 160 pF V @ 10
安装类型: 表面贴装
宽度: 2.5mm
封装类型: MPT
尺寸: 4.5 x 2.5 x 1.5mm
引脚数目: 4
最大功率耗散: 2000 mW
最大栅源电压: ±12 V
最大漏源电压: 60 V
最大漏源电阻值: 0.24
最大连续漏极电流: 2 A
每片芯片元件数目: 1
类别: 功率 MOSFET
通道模式: 增强
通道类型: N
配置: 单
长度: 4.5mm
高度: 1.5mm
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