型号: RJP65T54DPM-E0#T2
功能描述: IGBT TRENCH TO-3FP
制造商: Renesas Electronics America
包装: 管件
系列: -
零件状态: 停產
IGBT 类型: 沟道
电压 - 集射极击穿(最大值): 650V
电流 - 集电极(Ic)(最大值): 60A
脉冲电流 - 集电极 (Icm): 225A
不同Vge,Ic 时的Vce(on): 1.68V @ 15V,30A
功率 - 最大值: 63.5W
开关能量: 330µJ(开),760µJ(关)
输入类型: 标准
栅极电荷: 72nC
25°C 时 Td(开/关)值: 35ns/120ns
测试条件: 400V,30A,10 欧姆,15V
反向恢复时间(trr): 400V,30A,10 欧姆,15V
工作温度: 175°C(TJ)
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-3PFM,SC-93-3
供应商器件封装: TO-3PF
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