型号: RJP65T54DPM-E0#T2
功能描述: IGBT TRENCH TO-3FP
制造商: Renesas Electronics America
包装: 管件
系列: -
零件状态: 停產
IGBT 类型: 沟道
电压 - 集射极击穿（最大值）: 650V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）: 60A
脉冲电流 - 集电极 (Icm): 225A
不同Vge，Ic 时的Vce（on）: 1.68V @ 15V，30A
功率 - 最大值: 63.5W
开关能量: 330µJ（开），760µJ（关）
输入类型: 标准
栅极电荷: 72nC
25°C 时 Td（开/关）值: 35ns/120ns
测试条件: 400V，30A，10 欧姆，15V
反向恢复时间（trr）: 400V，30A，10 欧姆，15V
工作温度: 175°C（TJ）
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-3PFM，SC-93-3
供应商器件封装: TO-3PF
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