型号:  RK7002BMT116

功能描述:  二极管与整流器

制造商:  ROHM Semiconductor

系列：  RK

最大工作温度：  + 150 C

安装风格：  SMD/SMT

下降时间：  28 ns

典型接通延迟时间：  3.5 ns

上升时间：  5 ns

Vgs-栅极-源极电压：  20 V

Pd-功率耗散：  200 mW

通道数量：  1 Channel

Id-连续漏极电流：  250 mA

Vds-漏源极击穿电压：  60 V

晶体管类型：  1 N-Channel

RdsOn-漏源导通电阻：  1.7 Ohms

通道模式：  Enhancement

晶体管极性：  N-Channel

Vgsth-栅源极阈值电压：  1 V

典型关闭延迟时间：  18 ns

FET类型：  N 沟道

技术：  MOSFET（金属氧化物）

电流-连续漏极（Id）（25°C时）：  250mA（Ta）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：  2.5V，10V

不同Id时的Vgs（th）（最大值）：  2.3V @ 1mA

不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：  15pF @ 25V

Vgs（最大值）：  ±20V

功率耗散（最大值）：  200mW（Ta）

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：  2.4 欧姆 @ 250mA，10V

工作温度：  150°C（TJ）

安装类型：  表面贴装

封装/外壳：  TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

封装形式Package：  SOT-23

极性Polarity：  N-CH

漏源极击穿电压VDSS：  60V

连续漏极电流ID：  0.25A

无铅情况/RoHs：  无铅/符合RoHs