型号: RM11N800T1
功能描述: MOSFET TO-220F MOSFET
制造商: Rectron
制造商: Rectron
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220F-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 800 V
Id-连续漏极电流: 11 A
Rds On-漏源导通电阻: 420 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 3 V
Vgs - 栅极-源极电压: 30 V
Qg-栅极电荷: 48 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 33.8 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
封装: Tube
晶体管类型: 1 N-Channel
商标: Rectron
正向跨导 - 最小值: 7 S
下降时间: 5 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 7 ns
工厂包装数量: 1000
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 62 ns
典型接通延迟时间: 12 ns
联系人:陈敏
电话:17302670049
联系人:陈玲玲
电话:18126117392
联系人:Alien
联系人:朱小姐
电话:13725570869
联系人:余先生,张先生
电话:13826514222
联系人:彭小姐
联系人:黄
电话:18927111567
Q Q:
联系人:Sam
联系人:杨小姐
电话:13691886679
联系人:夏辉
电话:13828713911
Q Q: