型号:  RN1104MFV(TL3,T)

功能描述:   Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin VESM T/R

制造商:  Toshiba

供应商封装形式：  VESM

最小直流电流增益：  80@10mA@5V

Maximum Continuous DC Collector Current ：  100

最高工作温度：  150

包装高度：  0.5

典型输入电阻：  47

最大功率耗散：  150

封装：  Tape and Reel

最大集电极发射极饱和电压：  0.3@0.25mA@5mA

包装宽度：  0.8

安装：  Surface Mount

PCB：  3

包装长度：  1.2

典型电阻器比率：  1

配置：  Single

类型：  NPN

引脚数：  3

最大集电极发射极电压：  50

电流 - 集电极（ Ic）（最大）：  100mA

晶体管类型：  NPN - Pre-Biased

电阻器 - 基（ R1 ） （欧姆）：  47k

电流 - 集电极截止（最大）：  100nA (ICBO)

下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件：  300mV @ 500µA, 5mA

电压 - 集电极发射极击穿（最大）：  50V

供应商设备封装：  VESM

电阻器 - 发射极基（ R 2 ） （欧姆）：  47k

功率 - 最大：  150mW

标准包装：  8,000

封装/外壳：  SOT-723

安装类型：  Surface Mount

直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时：  80 @ 10mA, 5V

RoHS指令：  Lead free / RoHS Compliant

其他名称：  RN1104MFV(TL3T)CT

产品种类：  Transistors Switching - Resistor Biased

RoHS：  RoHS Compliant