型号:  RN1105MFV,L3F

功能描述:  双极晶体管 - 预偏置 VESM PLN TRANSISTOR Pd 150mW F 1MHz

制造商:  Toshiba

制造商:  Toshiba

产品种类:  双极晶体管 - 预偏置

RoHS:  是

配置:  Single

晶体管极性:  NPN

典型输入电阻器:  2.2 kOhms

典型电阻器比率:  0.0468

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  SOT-723-3

直流集电极/Base Gain hfe Min:  80

集电极—发射极最大电压 VCEO:  50 V

集电极连续电流:  100 mA

峰值直流集电极电流:  100 mA

Pd-功率耗散:  150 mW

系列:  RN1105

封装:  Cut Tape

封装:  MouseReel

封装:  Reel

集电极—基极电压 VCBO:  50 V

发射极 - 基极电压 VEBO:  5 V

高度:  0.5 mm

长度:  1.2 mm

类型:  NPN Epitaxial Silicon Transistor

宽度:  0.8 mm

商标:  Toshiba

最大直流电集电极电流:  100 mA

产品类型:  BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased

工厂包装数量:  8000

子类别:  Transistors