型号:  RN1107(T5L,F,T)

功能描述:   TRANSISTOR NPN SSM

制造商:  Toshiba Semiconductor and Storage

电流 - 集电极（ Ic）（最大）：  100mA

晶体管类型：  NPN - Pre-Biased

频率 - 转换：  250MHz

电阻器 - 基（ R1 ） （欧姆）：  10k

电流 - 集电极截止（最大）：  100nA (ICBO)

下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件：  300mV @ 250µA, 5mA

电压 - 集电极发射极击穿（最大）：  50V

供应商设备封装：  SSM

封装：  Tape & Reel (TR)

电阻器 - 发射极基（ R 2 ） （欧姆）：  47k

功率 - 最大：  100mW

标准包装：  3,000

封装/外壳：  SC-75, SOT-416

安装类型：  Surface Mount

直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时：  80 @ 10mA, 5V

其他名称：  RN1107(T5LFT)CT

RoHS指令：  Lead free / RoHS Compliant

配置：  Single

晶体管极性：  NPN

典型输入电阻：  10 kOhms

直流集电极/增益hfe最小值：  80

安装风格：  SMD/SMT

集电极 - 发射极最大电压VCEO：  50 V

发射极 - 基极电压VEBO：  6 V

功率耗散：  100 mW

集电极最大直流电流：  100 mA

典型电阻器比率：  0.213

连续集电极电流：  100 mA

RoHS：  RoHS Compliant